自举式电容器，内部高端MOS需要获得高ICVCC的电压，通过自举式电路升压获得高于VCC的电压，否则高端MOS不能驱动。

自举式是指通过开关电源MOS管和电容器构成升压电路，通过电源充电电容器，电压上升。自举中最简单的电路是由一个电容组成的，为了防止升高的电压倒入原来的输入电压，Diode.自举的优点是利用电容器两端的电压不会突变的特性提高电压。

例如，MOS的Drink极电压为12V，Source极电压为0V，Gate极电压也为12V，MOS在引导时间内，Soure极电压上升到Drink减压减去小的引导压力，Vgs电压接近0V，MOS在引导时间后再次关闭，再引导时间，再引导时间…

这样，MOS的Drink极和Source之间长时间流动N倍于工作频率的高频脉冲MOS没有导向时，如果在MOS的Gate和Source之间连接小容量、充电容量，MOS导向、Source电压上升后，可以自动提高Gate的极电压，MOS可以继续导向。

上管关闭，下管打开                                                    下管关闭，上管打开