陶瓷电容器是用陶瓷材料作介质的电容器。它的种类多，外形尺寸差别很大。根据使用电压的不同，可以分为高、中、低压陶瓷电容器。根据介电常数的温度系数的不同，可以分为负温度系数，正温度系数，零温度系数，高介质常数，低介质常数等等。另外，还有I型、II型、III型的分类方法。与其它电容器相比，普通陶瓷电容器具有使用温度高、比容量大、耐湿性好、介质损耗小、温度系数可在较大范围内选择等优点。在电子电路中广泛应用，用量非常可观。

陶瓷电容器分类

一、半导体陶瓷电容器

微小型化是电容器发展的趋势之一，即电容器可以在最小的体积中获得最大的容量。微小型化的基本途径有两种，一种是将电容器分离出来，使介质材料的介电常数尽可能地增大。另外一种则是使介质层的厚度尽量减薄；铁电陶瓷具有高的介电常数，但当用铁电陶瓷制作普通铁电陶瓷电容器时，用铁电陶瓷很难将其制成薄片。第一，由于铁电陶瓷强度低，薄而易碎，难以进行实际生产，第二，陶瓷介质非常薄易产生多种组织缺陷，生产工艺难度很大。

(1)表层陶瓷电容器是在像BaTiO3这样的半导体陶瓷表面形成的非常薄的绝缘层作为介质层，而半导体陶瓷本身可以看作是一种串联回路。陶瓷电容器的绝缘层厚度，随其形成方式和条件的变化，波动在0.01~100微米之间。采用这种方法，不仅可以提高铁电陶瓷的介电常数，而且可以有效减薄介质层厚度，为制备微型陶瓷电容器提供了一种行之有效的方案。

(2)晶界层BaTiO3半导体陶瓷表面晶粒发育较充分，涂覆适当的金属氧化物(如CuO或Cu2O、MnO2、S2O3、Tl2O3等)，在适当的温度下，在氧化条件下涂覆金属氧化物(如CuO或Cu2O、MnO2、S2O3、Tl2O3等)，可与BaTiO3形成低共溶液相，并沿开口气孔和晶界迅速扩散，在晶界上形成薄而薄的固溶体绝缘层。这一薄而固溶的绝缘层的电阻率很高(可达1012~1013Ω·cm)，虽然陶瓷的晶粒内部仍然是半导体，但整个陶瓷体呈现出2×104~8×104的显介电常数。由这种瓷制成的电容器叫做晶界层陶瓷电容器(boundarglerceramiccapacitor)，或简称为BL型电容器。

二、高温陶瓷电容器

用于高压陶瓷电容器的陶瓷材料主要有钛酸钡和钛酸锶基两种。钛酸钡基陶瓷材料具有介电系数高和较好的交流耐压性能，但也存在一些不足之处，如提高介质温度，降低绝缘电阻等。在-250℃和-250℃的环境温度下，钛酸锶晶体具有钙钛矿结构，是一种顺电体，没有自发极化现象，在高压下，钛酸锶基陶瓷材料的介电系数变化率较小，Tgδ和SiO2的变化率较小，因此它作为高压电容器介质具有很大的优势。

三、多层瓷电容器

多层陶瓷电容器(MultiyerCeramicCapacitor,MLCC)是一种在片式元器件中应用很广的一种内电极材料，它将内电极材料与陶瓷坯体以多层交替并联叠合，并烧成一体，又称片式独石电容器，具有体积小、比容高、精度高、可贴装于印制电路板(PCB)、混合集成电路(HIC)基片等优点，能有效地减小电子信息终端产品(特别是TCL)的体积和重量，提高产品的可靠性，符合IT产业小型化、轻量化、高性能、多功能的发展趋势。

而陶制电容器的特性主要有以下几点：

1.由于陶瓷材料是以陶瓷为介质的，因此耐高温性能好，不易老化。

2.是能耐受酸碱和盐类腐蚀，耐高温。

3.低气压下的陶瓷基介电常数大，体积小，容量大。

4.陶瓷材料，具有良好的绝缘性能，耐高压。

5.陶瓷制件基本不会随温度、电压、时间等改变。

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