NPO电容器
NPO是最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。它的填充介质由铷、钐等稀有氧化物组成。
NPO电容器是容量最大、损耗最稳定的电容之一。当温度从-55℃到125℃时，容量变化为0±30ppm/℃，电容量随频率变化小于±0.3δc。NPO电容器漂移或滞后小于0.05%，相对大于2%的薄膜电容器可以忽略不计。其典型容量的相对使用寿命变化小于0.1%。NPO电容器的电容量和介质损耗因包装形式而异，大包装尺寸优于小包装尺寸。下表显示了可选NPO电容器的容量范围。

封 装 DC=50V DC=100V

0805 0.5---1000pF 0.5---820pF

1206 0.5---1200pF 0.5---1800pF

1210 560---5600pF 560---2700pF

2225 1000pF---0.033μF 1000pF---0.018μF

X7R电容器
X7R电容 器被称为稳定温度的陶瓷电容器。当温度在-55℃至125℃时，其容量变化为15%。需要注意的是，此时 电容器的容量变化是非线性的。
X7R电容器和频率条件下，X7R电容器的容量不同，随着时间的推移而变化 ，每10年变化1%δC，10年变化5%左右。
X7R电容器主要用于工业要求低的情况下，当电压发生变化时，可接受。在体积相等的情况下，电容可做得更大。下表列出了X7R电容的可选容量范围。

封 装  DC=50V DC=100V
0805 330pF---0.056μF 330pF---0.012μF
1206 1000pF---0.15μF 1000pF---0.047μF
1210 1000pF---0.22μF 1000pF---0.1μF
2225 0.01μF---1μF 0.01μF---0.56μF

Z5U电容器
Z5U电容叫做普通陶瓷单片电容。首先要考虑的是使用温度范围，Z5U电容器的小尺寸和低成本。对三个以上的陶瓷单片电容，Z5U电容在同等体积下具有最大电容。但其容量受环境及操作条件的影响较大，每10年可降低5%。
尽管它的容量是不稳定的，但是它的等效串联电感(ESL)和等效串联电阻(ESR)的低频响应，具有广阔的应用前景。特别是在退耦电路的应用中。Z5U电容器的取值范围显示在下表。

封 装 DC=25V DC=50V
0805 0.01μF---0.12μF 0.01μF---0.1μF
1206 0.01μF---0.33μF 0.01μF---0.27μF
1210 0.01μF---0.68μF 0.01μF---0.47μF
2225 0.01μF---1μF 0.01μF---1μF

Z5U电容器的其它技术指标如下：
工作温度范围为10℃-85℃。
22%-56%的温度特性
介质损耗最大4%
Y5V电容器
Y5V电容器是一种通用电容器，在-30℃到85℃之间，容量变化幅度可达22%~82%。
Y5V的高介电常数允许在较小的物理尺寸下制造高达4.7μF的电容器。
Y5V电容器的取值范围如下表所示。

封 装 DC=25V DC=50V
0805 0.01μF---0.39μF 0.01μF---0.1μF
1206 0.01μF---1μF 0.01μF---0.33μF
1210 0.1μF---1.5μF 0.01μF---0.47μF
2225 0.68μF---2.2μF 0.68μF---1.5μF

Y5V电容器的其它技术指标如下：
工作温度范围-30℃-85℃。
22%-82%的温度特性
介质损耗最大5%
在AVX网站上可以找到贴片电容器的命名方法。不同的公司可能有不同的命名方法。

电路的作用。
在DC电路中，电容相当于断路。电容器是一种可以储存电荷的元件，也是最常用的电子元件之一。
这要从电容器的结构入手。最简单的电容器由两端的极板和中间的绝缘介质(包括空气)组成。通上电源后，极板带电形成电压(电位差)，但由于中间有绝缘物质，整个电容器是不导电的。但这种情况是在不超过电容器临界 电压 (破坏电压)的情况下进行的。众所周知，任何物质都是相对绝缘的。当物质两端的电压增加到一定程度时，物质可以导电。我们称之为击穿电压。电容器也不例外，电容器被击穿后，就不是绝缘体了。但在中等教育阶段，这种电压不会出现在电路中，因此所有的工作都低于击穿电压，可以作为绝缘体出现。陶瓷电容器
但在交流电路中，由于电流的方向与时间有关。此外，电容器的充放电过程是有时间的。此时，极板之间形成变化的电场，这也是随时间变化的函数。事实上，电流是以场的形式通过电容器之间的。

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